MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR Micron

MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR Micron

📅 2025-12-10

MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR by Micron Technology Inc. — 고성능 메모리와 첨단 시스템용 저장 솔루션

MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR은 Micron의 고성능 메모리 부품으로, 데이터 처리 속도와 시스템 반응성을 높이고 까다로운 운영 환경에서도 안정적인 성능을 제공합니다. Micron의 최첨단 공정 기술과 수십 년에 걸친 메모리 혁신의 축적을 바탕으로 설계된 이 장치는 데이터 센터, 임베디드 시스템, 산업 환경에서 신뢰할 수 있는 동작을 구현합니다.

주요 특징

  • 고속과 저지연: 빠른 데이터 처리와 시스템 응답성을 가능하게 하는 설계로, AI 워크로드나 대용량 데이터를 다루는 애플리케이션에서 성능 이점을 제공합니다.
  • 강력한 내구성과 데이터 유지력: 미션 크리티컬한 워크로드에서도 안정적인 데이터 보존과 긴 작동 수명을 지향하도록 구성되어 있습니다.
  • 저전력 소비: 전력 효율성을 높여 모바일, 에지 컴퓨팅, 에너지 민감 플랫폼에서도 발열과 전력 소모를 줄여 줍니다.
  • 소형 및 확장 가능한 폼팩터: 시스템 설계에 유연하게 대응할 수 있는 컴팩트한 형태와 확장성을 제공합니다.
  • 산업 표준 준수: JEDEC 표준, RoHS 및 환경 규정을 충족하여 다양한 글로벌 애플리케이션에 호환성을 보장합니다.

일반적 적용 분야

  • 데이터 센터 및 서버: 고성능 컴퓨팅, AI 워크로드, 가상화 환경에서의 안정적 데이터 흐름과 처리 속도 증가를 지원합니다.
  • 소비자 전자: 스마트폰, PC, 게이밍 디바이스, 스마트 가전 등에서의 고속 저장 및 빠른 데이터 액세스에 기여합니다.
  • 산업 및 임베디드 시스템: 자동화, 로보틱스, 제어 모듈 등 균일한 성능과 내구성이 필요한 환경에 적합합니다.
  • 자동차 전장: ADAS, 인포테인먼트 시스템, 자율주행 보조 기능 등 차량 내 고성능 저장 솔루션으로 활용됩니다.
  • IoT 및 엣지 디바이스: 센서 게이트웨이, 웨어러블, 지능형 노드에서의 안정적인 데이터 기록과 처리에 기여합니다.

경쟁 우위

  • 검증된 신뢰성과 장기 내구성: 중요 애플리케이션에서 필요한 안정성과 수명 주기를 제공합니다.
  • 고급 아키텍처의 밀도, 전력, 성능 최적화: 동일한 공간에서 더 큰 용량과 빠른 속도를 달성하도록 설계된 구조적 이점이 있습니다.
  • 강력한 글로벌 공급망 및 에코시스템 호환성: 다양한 시스템과의 호환성을 바탕으로 원활한 구성과 통합이 가능합니다.
  • 보안 및 데이터 보호 기능: ECC 등 데이터 무결성 보호 기능을 포함하여 안전한 데이터 처리를 지원합니다.

결론
Micron의 MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR은 높은 성능, 우수한 신뢰성, 그리고 확장 가능한 통합성을 제공하는 메모리 솔루션으로, 현대 컴퓨팅, 소비자 전자, 산업 시스템의 요구를 충족합니다. 엔지니어들이 속도, 저장 효율성, 장기 운용 수명을 동시에 달성할 수 있도록 돕는 선택지로 자리 잡습니다. ICHOME은 genuine Micron MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR 부품을 경쟁력 있는 가격과 전신 추적성, 빠른 배송으로 제공합니다. 프로토타입 제작에서 대량 생산에 이르기까지 안정적인 공급을 약속합니다.

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