MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR Micron

📅 2025-12-11

MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR by Micron Technology Inc. — High-Performance Memory and Storage Solutions for Advanced Computing Systems

MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR은 Micron Technology Inc.의 고성능 메모리 소자로, 빠른 데이터 처리량과 낮은 지연 time, 그리고 안정적 내구성을 제공하도록 설계되었습니다. 첨단 반도체 공정 기술과 수십 년에 걸친 메모리 혁신의 결실로, 이 기기는 demanding한 컴퓨팅, 임베디드, 산업 환경에서 안정적 작동을 가능하게 합니다. 시스템의 데이터 흐름을 원활히 하고, 고속 데이터 액세스가 필요한 애플리케이션에서 신뢰성과 효율성을 동시에 달성하도록 돕습니다.

주요 특징

• 고속성과 저지연: 다중 채널 구조와 최적화된 컨트롤러 설계로 데이터 처리 속도를 끌어올리고 시스템 반응성을 향상시킵니다.
• 견고한 내구성과 데이터 보존: 장기 작동이 요구되는 업무에 맞춘 Endpoint 애플리케이션에서도 데이터 무결성을 유지하도록 만들어졌습니다.
• 저전력 소모: 모바일, 엣지 컴퓨팅, 에너지 제약 환경에서도 배터리 수명과 발열 관리에 유리한 특성을 제공합니다.
• 콤팩트하고 확장 가능한 폼 팩터: 다양한 시스템 설계에 맞춰 손쉽게 탑재할 수 있도록 설계된 구성으로, 모듈형 또는 기존 플랫폼에 유연하게 대응합니다.
• 업계 표준 준수: JEDEC 규격, RoHS 및 환경 규정을 충족하여 글로벌 시스템 및 부품 생태계와의 호환성을 보장합니다.

일반적 응용 분야

• 데이터 센터 및 서버: 고성능 컴퓨팅, 인공지능 워크로드, 가상화 환경에서 필요한 대역폭과 응답성을 제공합니다.
• 소비자 전자 기기: 스마트폰, PC, 게이밍 기기, 스마트 가전 등에서 빠르고 안정적인 데이터 저장을 구현합니다.
• 산업 및 임베디드 시스템: 자동화, 로봇 공정, 제어 모듈 등 까다로운 환경에서도 일관된 성능을 제공합니다.
• 자동차 전자: ADAS, 인포테인먼트 시스템, 자율 주행 보조 기능의 데이터 처리량을 지원합니다.
• IoT 및 엣지 디바이스: 센서 게이트웨이, 웨어러블, 지능형 노드에서의 효율적인 로컬 저장 및 즉시 접근이 가능하게 합니다.

경쟁력과 차별화 포인트

• 신뢰성 및 장기 내구성: 중요한 애플리케이션에서 필요한 예측 가능한 성능과 내구성을 제공합니다.
• 첨단 아키텍처: 밀도, 전력 효율, 성능의 균형을 최적화한 설계로 고가용성 시스템에 적합합니다.
• 강력한 글로벌 공급망: 넓은 생태계 호환성과 공급 안정성을 확보하여 대량 생산과 유지보수를 용이하게 합니다.
• 보안 및 데이터 보호 기능: ECC 등의 데이터 무결성 보장을 포함한 보안 기능이 강화되어, 데이터 손상 위험을 줄이고 시스템 신뢰성을 높입니다.

결론
Micron의 MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR은 고성능, 탁월한 신뢰성, 확장 가능한 시스템 통합을 모두 제공하는 메모리 솔루션으로, 현대 컴퓨팅, 소비자 전자, 산업 시스템의 요구를 충족합니다. 빠른 속도와 안정적인 데이터 관리를 필요로 하는 엔지니어링 과제에서 깊이 있는 성능을 실현하고, 제품 수명주기 전반에 걸친 운영 효율성을 강화합니다. ICHOME은 이 기기의 정품 부품을 경쟁력 있는 가격으로 제공하며, 완전한 추적성과 빠른 배송으로 프로토타이핑에서 양산까지 원활한 지원을 약속합니다.