MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR Micron

📅 2025-12-11

MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR by Micron Technology Inc. — 고성능 메모리와 첨단 시스템 솔루션

MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR는 Micron Technology Inc.의 고성능 메모리 부품으로, 빠른 데이터 처리 속도와 낮은 지연 시간을 실현합니다. 이 칩은 최신 반도체 공정 기술과 다년간의 메모리 설계 지식을 바탕으로 설계되어, 까다로운 컴퓨팅 환경에서의 안정적 작동과 긴 작동 수명을 제공합니다. 시스템 인티그레이션 측면에서 엔지니어들이 임베디드 시스템, 서버, 산업용 모듈 등 다양한 플랫폼에 신뢰성과 확장성을 더할 수 있도록 고안되었습니다.

주요 특징

• 고속 및 저지연: 대역폭이 높은 메모리 아키텍처와 최적화된 데이터 경로 설계로 데이터 처리 속도와 시스템 응답성이 향상됩니다.
• 강력한 내구성 및 데이터 유지력: 장시간 고부하 상황에서도 데이터 일관성을 유지하고, 신뢰성 있는 작동을 보장합니다.
• 저전력 소비: 에너지 효율이 높아 모바일, 에지 컴퓨팅 및 전력 제약 환경에서 열 관리 부담을 줄여줍니다.
• 컴팩트하고 확장 가능한 폼 팩터: 다양한 시스템 레이아웃에 쉽게 통합될 수 있으며, 설계 유연성을 제공합니다.
• 산업 표준 준수: JEDEC 표준, RoHS 및 환경 규정을 준수해 글로벌 시스템과의 호환성을 확보합니다.
• 확장 온도 범위 지원: TR 표기를 통해 극한 환경에서도 안정적인 성능을 기대할 수 있습니다.

적용 사례

• 데이터센터 및 서버: 고성능 컴퓨팅, 인공지능 워크로드, 가상화 환경에서 데이터 처리 속도와 메모리 대역폭을 강화합니다.
• 소비자 전자제품: 스마트폰, PC, 게임 기기, 스마트 가전 등에 우수한 반응성 및 사용자 경험 향상을 제공합니다.
• 산업 및 임베디드 시스템: 자동화, 로보틱스, 제어 모듈에서의 안정적 데이터 저장과 실시간 반응성을 지원합니다.
• 자동차 전장: ADAS, 인포테인먼트 시스템, 자율주행 보조 기술에서 신뢰성 높은 데이터 저장을 보장합니다.
• IoT 및 에지 디바이스: 센서 게이트웨이, 웨어러블, 지능형 노드 등 에지 컴퓨팅 환경의 성능과 내구성을 강화합니다.

경쟁 우위 및 공급망

• 검증된 신뢰성과 장기 내구성: 중요 애플리케이션에서의 안정적 작동과 수명 주기를 통해 총소유비용(TCO)을 낮춥니다.
• 고급 아키텍처로 밀도, 전력, 성능의 균형 최적화: 더 많은 용량과 낮은 에너지 소비를 동시에 달성하는 설계 솔루션입니다.
• 강력한 글로벌 공급망과 생태계 호환성: 전 세계 제조 및 개발 환경에서의 조달 안정성과 호환성을 제공합니다.
• 보안 및 데이터 보호 기능: ECC 및 데이터 보호 기능과 함께 시스템 차원의 신뢰도 확보를 지원합니다.

이용 및 구매 안내
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR는 고성능이 필요한 현대의 컴퓨팅, 전자제품 및 산업 시스템에 적합한 솔루션입니다. ICHOME은 이 칩의 정품 공급을 보장하고, 경쟁력 있는 가격과 완전한 추적성, 신속한 배송으로 prototyping과 대량생산 단계에서 파트너십을 제공합니다. 필요 시 샘플링과 BOM 확보, 납기 관리 등 프로젝트 전 과정에서 지원합니다.