MTA4ATF51264HZ-2G3B1 Micron

📅 2025-12-05

MTA4ATF51264HZ-2G3B1 by Micron Technology Inc. — 고성능 메모리 및 스토리지 솔루션 for Advanced Computing Systems

MTA4ATF51264HZ-2G3B1은 Micron Technology Inc.에서 선보인 고성능 메모리 모듈로, 빠른 데이터 처리량과 낮은 지연 시간, 그리고 신뢰할 수 있는 내구성을 제공합니다. Micron의 최첨단 공정 기술과 다년간의 메모리 혁신을 바탕으로 이 부품은 까다로운 컴퓨팅 환경은 물론, 임베디드 및 산업용 시스템에서도 안정적인 작동을 가능하게 합니다. 대용량과 고속의 요구가 공존하는 현대 시스템에서 MTA4ATF51264HZ-2G3B1은 데이터 흐름의 병목을 줄이고 시스템 반응성을 강화합니다.

주요 특징

• 고속 및 저지연: 대역폭이 큰 데이터 워크로드에서 빠른 처리 속도를 제공하며, 실시간 분석과 고성능 컴퓨팅에 적합합니다.
• robust Endurance 및 데이터 보존성: 미션 크리티컬한 작업 부하에서도 안정적인 작동과 장기 데이터 보존을 보장합니다.
• 저전력 소모: 모바일, 엣지 컴퓨팅, 에너지 민감 플랫폼에서의 전력 효율성을 높여 열 관리 부담을 줄입니다.
• 컴팩트하고 확장 가능한 폼 팩터: 시스템 설계의 유연성을 높이고 다양한 플랫폼에 손쉽게 통합할 수 있습니다.
• 업계 표준 준수: JEDEC 표준, RoHS 및 환경 규정을 포함한 규정 준수를 통해 광범위한 생태계와의 호환성을 제공합니다.

적용 분야

• 데이터 센터 및 서버: 고성능 컴퓨팅, AI 워크로드, 가상화 환경에서의 안정적 메모리 지원.
• 소비자 전자: 스마트폰, PC, 게이밍 디바이스, 스마트 가전 등 고속 데이터 처리와 원활한 멀티태스킹을 필요로 하는 제품군에 적용.
• 산업 및 임베디드 시스템: 자동화, 로보틱스, 제어 모듈에서의 견고한 운영과 내구성 강화.
• 자동차 전자: ADAS, 인포테인먼트, 자율주행 보조 시스템에서의 신뢰성 높은 메모리 솔루션.
• IoT 및 엣지 디바이스: 센서 게이트웨이, 웨어러블, 지능형 노드에 적합한 에지 컴퓨팅 메모리로 활용.

경쟁 우위

• 검증된 신뢰성 및 장기 내구성: 중요 애플리케이션에서 요구되는 안정성 확보.
• 고급 아키텍처: 밀도, 전력 효율, 성능의 균형을 최적화한 설계로 경쟁력 강화.
• 강력한 글로벌 공급망 및 생태계 호환성: 다양한 플랫폼과 소프트웨어 환경에서 원활한 통합 가능.
• 견고한 보안 및 데이터 보호 기능: ECC 등 오류 정정 기능과 데이터 무결성을 지원하여 보안 측면에서도 이점.

결론
Micron Technology Inc.’의 MTA4ATF51264HZ-2G3B1은 고성능, 탁월한 신뢰성 및 확장 가능한 시스템 통합성을 갖춘 메모리 모듈로, 현대 컴퓨팅, 소비자 전자, 산업 시스템의 요구를 충족합니다. 빠른 처리 속도와 안정된 데이터 보존이 필요한 애플리케이션에서 강력한 선택지로 작용하며, 엔지니어가 속도, 저장 효율성, 장기간 작동 수명을 모두 고려한 설계를 구현하도록 돕습니다. ICHOME은 정품 Micron MTA4ATF51264HZ-2G3B1를 경쟁력 있는 가격과 완전한 추적성, 빠른 배송으로 제공하여 프로토타이핑에서 양산까지 지원합니다.