MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR Micron

MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR Micron

📅 2025-12-22

MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR by Micron Technology Inc. — 고성능 메모리 및 고급 컴퓨팅 시스템용 스토리지 솔루션

MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR은 Micron Technology Inc.가 제공하는 고성능 메모리 소자로, 빠른 데이터 처리량과 낮은 지연 시간, 그리고 안정적인 내구성을 바탕으로 까다로운 작동 환경에서도 신뢰성을 발휘하도록 설계되었습니다. 최첨단 반도체 공정 기술과 다년간의 메모리 혁신의 노하우를 결합한 이 부품은 데이터 센터, 엣지 컴퓨팅, 임베디드 시스템 등 다양한 분야에서 안정적인 작동을 지원합니다.

주요 특징

  • 빠른 속도와 낮은 지연: 고속 데이터 처리와 시스템 반응성을 높여 AI 워크로드, 가상화, 대용량 데이터 분석 등에서 효율성을 극대화합니다.
  • robust 엔듀런스와 데이터 유지성: 지속적인 읽기/쓰기 작업에서의 내구성과 데이터 보존 능력이 중요한 미션 크리티컬 워크로드에 적합합니다.
  • 저전력 소모: 모바일, 엣지 및 에너지 제약 환경에서의 전력 효율성을 강화합니다.
  • 소형 및 확장 가능한 폼팩터: 시스템 통합의 유연성을 제공하며, 다양한 플랫폼에 쉽게 채택될 수 있습니다.
  • 산업 표준 준수: JEDEC 표준, RoHS 및 환경 규제에 대한 준수로 글로벌 설계 호환성과 규정 준수의 신뢰성을 확보합니다.

대표적 적용 분야

  • 데이터 센터 및 서버: 고성능 컴퓨팅, AI 워크로드, 가상화 환경에서 병렬처리와 메모리 대역폭의 이점을 극대화합니다.
  • 소비자 전자기기: 스마트폰, PC, 게임 디바이스, 스마트 가전 등 고성능 메모리 요구가 있는 제품에 적합합니다.
  • 산업 및 임베디드 시스템: 자동화, 로봇공학, 제어 모듈에서의 안정적 작동을 지원합니다.
  • 자동차 전자: ADAS, 인포테인먼트 시스템 및 자율주행 보조 기능 구현에 필요한 견고한 메모리 솔루션입니다.
  • IoT 및 엣지 디바이스: 센서 게이트웨이, 웨어러블 기기, 지능형 노드에서의 데이터 처리와 저장을 안정적으로 처리합니다.

경쟁 우위와 결론

  • 신뢰성과 장기 내구성: 유사 메모리 솔루션에 비해 입증된 신뢰성과 장기 내구성을 제공해 중요한 애플리케이션에서도 안정적인 작동을 보장합니다.
  • 고급 아키텍처와 효율성: 밀도, 전력, 성능 간의 최적화를 이룬 아키텍처로 시스템 전체의 효율성을 향상시킵니다.
  • 강력한 글로벌 공급망 및 생태계 호환성: 전 세계적으로 넓은 공급망과 광범위한 생태계 호환성을 갖추고 있어 대규모 생산 및 글로벌 프로젝트에 유연하게 대응합니다.
  • 보안 및 데이터 보호 기능: ECC 및 데이터 보호 기능 등 보안 측면에서도 탄탄한 지원을 제공합니다.

결론적으로 MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR은 고성능, 뛰어난 신뢰성, 확장 가능한 시스템 통합성을 갖춘 메모리 솔루션으로, 현대의 컴퓨팅, 소비전자 및 산업 시스템에서 빠른 속도와 저장 효율성, 긴 작동 수명을 필요로 하는 제품 개발에 적합합니다. ICHOME은 Micron MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR의 정품 부품을 경쟁력 있는 가격으로 공급하며, 완전한 추적성, 신속한 배송으로 프로토타이핑과 대量 생산을 지원합니다.

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