MT40A1G8WE-083E AUT:B Micron

📅 2025-12-11

MT40A1G8WE-083E AUT:B by Micron Technology Inc. — High-Performance Memory and Storage Solutions for Advanced Computing Systems

MT40A1G8WE-083E AUT:B는 Micron Technology Inc.가 개발한 고성능 메모리 소자입니다. 이 부품은 빠른 데이터 처리량과 낮은 지연 시간, 신뢰할 수 있는 내구성을 바탕으로 고급 컴퓨팅 시스템은 물론 임베디드 및 산업 환경에서도 안정적으로 작동하도록 설계되었습니다. Micron의 최첨단 제조 공정 기술과 다년간의 메모리 혁신을 바탕으로, 이 디바이스는 데이터 센터의 대규모 워크로드부터 엣지 디바이스의 에너지 효율성까지 폭넓은 요구를 충족합니다. AUT:B 등급은 더욱 엄격한 환경에서의 신뢰성을 강조합니다.

주요 특징

• 고속과 저지연: 대용량 데이터 흐름을 신속하게 처리하고 시스템 응답성을 향상시키는 설계로, AI 추론, 가상화, 실시간 데이터 처리에 적합합니다.
• robust Endurance 및 데이터 유지력: 수많은 읽기/쓰기 사이클에서도 안정적인 데이터 보존과 예측 가능한 수명을 제공합니다.
• 저전력 소모: 에너지 효율이 중요한 모바일, 엣지 컴퓨팅 및 기타 에너지 민감형 플랫폼에 어울리는 전력 특성을 갖추고 있습니다.
• 소형 및 확장 가능한 폼 팩터: 다양한 시스템 설계에 맞춰 유연하게 통합될 수 있도록 구성되었습니다.
• 산업 표준 준수: JEDEC 표준 및 RoHS를 포함한 환경 규정과의 준수를 통해 글로벌 시스템과의 호환성을 확보합니다.
• 보안 및 데이터 보호 기능: ECC 등 안정화 기능과 내재된 보안 옵션으로 임베디드 및 서버 환경의 데이터 신뢰성을 강화합니다.

적용 분야

• 데이터 센터 및 서버: 고성능 컴퓨팅, AI 워크로드, 가상화 환경에서의 안정적 데이터 처리.
• 소비자 전자제품: 스마트폰, PC, 게이밍 디바이스, 스마트 가전 등에서의 빠른 반응과 안정성 확보.
• 산업 및 임베디드 시스템: 자동화, 로봇 공학, 제어 모듈의 신뢰성 높은 메모리 솔루션으로 작동.
• 자동차 전자: ADAS, 인포테인먼트 시스템, 자율 주행 보조 장치의 요구사항에 부합하는 고성능 메모리.
• IoT 및 엣지 디바이스: 센서 게이트웨이, 웨어러블 기기, 지능형 노드의 데이터 처리와 저장을 지원.

경쟁 우위

• 입증된 신뢰성과 긴 내구성: 임무-critical한 어플리케이션에서도 예측 가능한 성능을 제공합니다.
• 선진 아키텍처: 고밀도, 저전력, 고성능의 균형을 최적화한 설계로 시스템 효율을 높입니다.
• 강력한 글로벌 공급망: 광범위한 에코시스템과의 호환성으로 양산 및 공급 안정성을 보장합니다.
• 보안 및 데이터 보호 기능: ECC 및 데이터 무결성 보장을 통해 보안 요구가 높은 환경에서도 신뢰성을 제공합니다.

결론
Micron의 MT40A1G8WE-083E AUT:B는 고성능과 신뢰성을 동시에 만족시키는 메모리 솔루션으로, 현대의 데이터 중심 시스템부터 산업용 임베디드, 자동차 전장까지 폭넓은 적용 가능성을 제공합니다. 빠른 처리 속도와 낮은 소비 전력, 견고한 내구성은 시스템 설계 시 엔지니어가 속도와 수명 사이의 균형을 용이하게 맞출 수 있도록 돕습니다. ICHOME은 정품 Micron MT40A1G8WE-083E AUT:B를 합리적인 가격, 완전한 트레이스 여부, 빠른 배송으로 제공하며 프로토타이핑과 대량 생산 모두를 지원합니다.